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李經(jīng)理 (銷售)
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詳細摘要:介電常數(shù)測量儀電容率測試儀之比。對于電抗元件(電感或電容)來說,即在測試頻率上呈現(xiàn)的電抗與電阻之比。它以89C51單片計算機作為控制核心,實現(xiàn)對各種功能的控制。壓控信號源為Q值測量提供了一個優(yōu)質的高頻信號,頻率從25kHz-50MHz,共分為七個波段。信號源的頻率受頻率調諧和數(shù)字鎖定單元的控制。信號源輸出一路送到程控衰減器和自動穩(wěn)幅控制單元,該單元根據(jù)CPU的指令對信號衰減后送回信號激勵單元,同時 產(chǎn)品型號:GDAT所在地:北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價:面議
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詳細摘要:北廣介質損耗測試儀廠家本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電,使用前要檢查市電電壓 是否合適,采用穩(wěn)壓電源,以保證測試條件的穩(wěn)定。 產(chǎn)品型號:GDAT-A所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
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詳細摘要:介質損耗角正切測試儀主要特點: 空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 日本AET 公司針對CCL/印刷電路板設計空洞共振腔測試裝置 , 只需裁成小長條狀即 產(chǎn)品型號:GDAT-A所在地:北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價:面議
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詳細摘要:全自動高壓數(shù)字電橋介電常數(shù)測定儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標準頻率測試點自動設定 產(chǎn)品型號:BQS-37A所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
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詳細摘要:專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測定儀全自動抗干擾介質損耗測試儀是一種新穎的測量介質損耗角正切值(tgδ)和電容值(Cx)的智能化儀 介質損耗測試儀圖片 產(chǎn)品型號:BDAT-A所在地:北京市 參考價:面議
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詳細摘要:工頻電橋介電常數(shù)測試儀用于絕緣材料的損耗值測定制造標準GB1409是絕緣材料檢驗中*的儀器之一。 本部分規(guī)定了熱釋電陶瓷、晶體和有機材料在100Hz~100kHz范圍介電常數(shù)的測試方法。適用于測量鈦酸鉛、鋯鈦酸鉛、鈦酸鍶鋇、鉭鈧酸鉛等熱釋電陶瓷材料和鈮鎂酸鉛、鉭酸鋰、熱釋電晶體材料的介電常數(shù),也適用于測量其他類似陶瓷、晶體及有機熱釋電材料的介電常數(shù)。 產(chǎn)品型號:BQS-37所在地:北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價:面議
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詳細摘要:介電常數(shù)測試儀GB/T 1409-2006數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質損耗裝置還能對固態(tài)絕緣材料的高頻介質損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進行測試。 產(chǎn)品型號:GDAT-S所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
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詳細摘要:阻抗分析儀介電常數(shù)介質損耗測試儀是一種用于測量介質材料介電常數(shù)和介質損耗的儀器。在電介質材料的應用中,介電常數(shù)和介質損耗是兩個非常重要的參數(shù),它們能夠反映材料的介電性能和電性能。因此,介電常數(shù)介質損耗測試儀在材料科學、電子工程、通信工程等領域有著廣泛的應用。 產(chǎn)品型號:GDAT-S所在地: 參考價:¥58000
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詳細摘要:廣東介電常數(shù)測試儀介質損耗是用于衡量絕緣體儲存電能的性能. 它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質時的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質或真空時的電容量之比。 產(chǎn)品型號:GDAT-A所在地:北京北廣精儀 參考價:面議
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詳細摘要:低頻介電常數(shù)介質損耗測試儀阻抗儀概述GDAT-S是具有多種功能和更高測試頻率的新型阻抗分析儀,體積小,緊湊便攜,便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%,測試頻率87高1MHz及10mHz的分辨率,4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面,操作方便簡潔。集成了變壓器測試功能、平衡測試功能,提高了測試效率。儀器提供了豐富的接口,能滿足自動分選測試,數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。 產(chǎn)品型號:GDAT-S所在地: 參考價:¥50000
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詳細摘要:絕緣油介質與體積電阻率測試儀概述絕緣油介質損耗及電阻率測試儀是依據(jù)GB/T5654-2007《液體絕緣材料 相對電容率、介質損耗因數(shù)和直流電阻率的測量》設計制造的高精密一體化檢測儀器。 產(chǎn)品型號:GDAT-C所在地: 參考價:¥25000
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詳細摘要:導熱硅脂工頻介電常數(shù)介質損耗測試儀直徑為10cm或更大些,需要測低損耗因數(shù)值時,很重要的一點是導線串聯(lián)電阻引入損耗要盡可能地小。 厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點間厚度的變化,對1%的精確度來講,1.5mm的厚度就足夠了。 產(chǎn)品型號:BQS-37所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:工頻介電常數(shù)測試儀電橋采用接觸電阻小,機械壽命長的十進開關,保證測量的穩(wěn)定性 儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場的干擾。 產(chǎn)品型號:BQS-37a所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:介電常數(shù)介質損耗測試儀 測量范圍及誤差 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應滿足下列表中的技術指示要求。 在Cn=100 pF R4=3183.2(Ω)時 測量項目測量范圍測量誤差 電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF 介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001 在Cn=100 pF R4=318.3(Ω 產(chǎn)品型號:GDAT-S所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:諧振法測試儀性能特點: 平板電容器 極片尺寸:φ25.4mm\\φ50mm 極片間距可調范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm 園筒電容器 電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF 長度可調范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm 夾具插頭間距:25mm±1mm 夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時) 產(chǎn)品型號:GDAT-A所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:工頻介電常數(shù)及介質損耗測試儀符合GB1409、GB5654 及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常 數(shù)的試驗方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路,內附0-2500的數(shù)顯高壓電源及 100PF標準電容器,并可按用戶要求擴裝外接標準電容線路。 產(chǎn)品型號:BQS-37A所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:高頻介電常數(shù)介質損耗測試儀GDAT儀器的技術指標 Q值測量范圍:2~1023 Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔; 電感測量范圍:14.5nH~8.14H 自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能 電容直接測量范圍:1~460pF 主電容調節(jié)范圍: 30~500pF 產(chǎn)品型號:GDAT-A所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:橡膠介電常數(shù)測試儀測量項目測量范圍測量誤差 電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF 介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001 在Cn=100 pF R4=318.3(Ω)時 測量項目測量范圍測量誤差 電容量Cx4pF—2000pF±0.5% Cx±3pF 介損損耗tgδ0-0.1±1.5% tgδx±0.0001 產(chǎn)品型號:BQS-37a所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:高頻介電常數(shù)介質損耗測試儀GDAT-a儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數(shù)值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至醉低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為晶確。 產(chǎn)品型號:GDAT-A所在地: 參考價:面議
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詳細摘要:西林電橋介電常數(shù)測試儀BQS-37a(QS-37a)型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。橋臂在基本量程時,與R4橋臂并聯(lián),測量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結構采用了雙層屏蔽。并通過輔橋的輔助平衡,消除寄生參數(shù)對電橋平衡的影響。輔橋由電位自動電位跟蹤器與內層屏蔽(S)組成。 產(chǎn)品型號:BQS-37a所在地: 參考價:面議
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北京北廣精儀儀器設備有限公司主營產(chǎn)品:絕緣強度耐電壓擊穿試驗儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強度試驗儀
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